相比光刻机的资料，刘思找到的离子体刻蚀机文献资料更多。因为在光刻机还在45纳米的节点上力求突破时，国内离子体刻蚀机已然突破了28纳米的技术节点。
按照历史，中国的半导体产业发展较晚，到2001年的十五计划才展开，所以我国集成电路高端装备与国际技术水平有“20年差距”。现在，刘思就是想通过尽早建立属于国内的半导体产业链，建立一个“设计+硅片+制造+封测+载板”的全产业链雏形。
半导体发展主要看制造工艺，而制造工艺的趋势是向密集度愈高的方向发展，密度愈高的ic电路设计，意味着在同样大小面积的ic中，可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。微电子技术的发展与进步，主要是靠工艺技术的不断改进。芯片制造工艺在1995年以后，从0·5微米、0·35微米、0·25微米、0·18微米、0·15微米、0·13微米、90纳米、80纳米、65纳米，一直发展到目前最新的45纳米、32纳米、28纳米、15纳米、10纳米、5纳米。
中国在28纳米级刻蚀机上的突破使得45纳米级、32纳米级的刻蚀机研究研发资料一定程度上公开了一部分，这是令人振奋的消息。
光刻机、刻蚀机的突破，刘思能够查到大量的关于纳米级的资料文献。但半导体制作设备还有一种最为关键的核心设备，那就是化学沉淀设备。
化学沉淀设备又称为薄膜沉积设备，国内在这方面只突破了物理气相沉积（pvd）、化学气相沉积（cvd）两项项核心设备，还有其他等离子体增强化学设备、高密度等离子化气沉积设备、电化气沉积设备、电子捕获检测器等等。
化学沉积设备的高端技术一直掌握在美国佬手中，这是令人郁闷不已的，德国、荷兰、日本三国都没有这种技术，所以在这方面刘思没有找到太多的资料。
不搜不知道，一查吓一跳。生产制造芯片的整个流程大约有400～500道工序，需要用到的关键设备至少有十几种。没有过硬的、且掌握核心技术的集成电路装备制造业，就谈不上自主可控的集成电路产业。
一想到国内基本属于空白状态的情况，刘思终于要疯了，他真心怀疑自己投入大量资金搞半导体研发，到头来会不会有一些成果呢？
要将我国集成电路产业做大做强，就一定要把我国集成电路装备制造业搞上去。可这里刘思只有苦笑了，整个国内半导体行业属于空白，完全要靠自身努力了。我国集成电路装备产业与国际先进水平存在的差距基本如同一条沟壑，令人望而兴叹。
集成电路装备制造是一个十分精密复杂、竞争激烈的行业。首先，更新换代速度快。摩尔定律18个月升级一代，决定了设备的更新换代频率。企业如果跟不上这个节奏，结果就是被淘汰。其次，加工精度极高。纳米级的加工精度已达到百万分之一毫米，一台设备物料达到3000多件，软件代码达到100多万行，需要200多家供应商。一台设备的开发就是一个庞大而复杂的系统工程。最后，验证周期长。一台设备开发成功，不仅仅是完成上线验证，更重要的是要通过大生产线严格的长期测试，整个周期至少需要18个月，同时要满足严苛的可靠性、一致性要求。
除了集成电路装备制造技术，刘思还得投入资金在拓展产品的应用领域进行科学研发。比如半导体照明（led）、微机电系统（mems）、先进封装、光通信器件、化合物半导体等领域。
对于半导体产业的研发投入等方面至少需要等到1998年以后，只有等到98年以后他才有资金投入研发中去。
目前他需要考虑国内的vivo技术有限公司、魅族电子有限公司的发展思路。魅族电子基本是无发展的状态了，只有等到98年1月份，最迟也是需要等到1997年10月份，刘思在香港股市获利之后。
魅族电子投入研究不仅仅是半导体，还有dsp技术、声卡、显卡、dram等相关技术的开发研究，可谓是很困难的。
其实即便是在后来中科院微电子研究所中的中间认为也是华侨、留学生，所以魅族电子实验室的组建关键还是在海外。对此，花费真不是一点半点。
如今vivo技术有限公司、魅族电子有限公司两家公司在今年开始进入研究开发，步入正轨的或许就是vivo技术有限公司。
如此看来，42亿元的投资基本用不出去，对此，刘思只好准备搞建设了，用这笔资金建设vivo技术有限公司、魅族电子有限公司的总部。关键是，深圳政府近10天了，还没有吧建设用地批下来，他有些想直接放弃在深圳投资的想法。